Si2303CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
Si2303CDS-T1-GE3 是一款高效P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，便于在緊湊型電路設(shè)計中靈活使用。器件亮點在于擁有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定承載4.1A漏極電流(ID)，同時具備48mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在低損耗狀態(tài)下實現(xiàn)高效能運作。此款MOS管廣泛應(yīng)用于電源管理、負載開關(guān)、電機驅(qū)動等各種場景，是您提升系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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