FDN358P_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDN358P 是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，針對(duì)高效率、小尺寸電子設(shè)計(jì)。該器件具有30V的高工作電壓VDSS，提供穩(wěn)定的4.1A電流ID，同時(shí)擁有48mR的低導(dǎo)通電阻，確保在中高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)卓越的能效表現(xiàn)。廣泛運(yùn)用于電源開關(guān)控制、電池保護(hù)及各類中等電流負(fù)載驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，是電路設(shè)計(jì)者追求高效、節(jié)能解決方案的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

FDN358P_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢