Si2307CDS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2307CDS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電子設(shè)計(jì)。該器件工作電壓VDSS高達(dá)30V，可承載4.1A連續(xù)電流，且擁有低至48mR的導(dǎo)通電阻，有效提高系統(tǒng)能效，降低能耗。適用于電源開關(guān)控制、電池保護(hù)和各類中等電流負(fù)載驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，是工程師設(shè)計(jì)高集成度、低功耗方案的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國(guó)際大廈2013-2014

Si2307CDS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢