DMG2307L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMG2307L MOS管是一款采用小型SOT-23封裝的高性能P溝道MOSFET，專為高效率電源管理和負(fù)載驅(qū)動設(shè)計(jì)。該器件具有30V的高耐壓值VDSS和4.1A的強(qiáng)大電流承載能力，配合48mR的低導(dǎo)通電阻，有效降低功耗并提升系統(tǒng)能效。廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、電源開關(guān)控制以及各類中等電流負(fù)載驅(qū)動場合，是工程師在設(shè)計(jì)中尋求高性價比解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMG2307L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢