Si2307BDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2307BDS-T1-GE3 MOS管是一款采用SOT-23封裝的高性能P溝道MOSFET，專為緊湊型電子設(shè)計(jì)打造。該器件具有30V的高額定電壓VDSS和高達(dá)4.1A的連續(xù)電流ID，能夠在中高功率應(yīng)用中展現(xiàn)穩(wěn)定性能。其導(dǎo)通電阻低至48mR，有效提高能源利用效率。廣泛應(yīng)用于電源管理、電池保護(hù)電路以及各類負(fù)載驅(qū)動(dòng)場合，是實(shí)現(xiàn)高能效系統(tǒng)控制的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

Si2307BDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢