FDN360P_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDN360P MOS管是一款采用經(jīng)典SOT-23封裝的高質(zhì)量P溝道半導(dǎo)體元件，工作電壓VDSS高達(dá)30V，確保在多種電源管理場(chǎng)景下穩(wěn)定運(yùn)行。器件提供4.1A的強(qiáng)大電流承載能力，且擁有48mR的低導(dǎo)通電阻，有效提升系統(tǒng)能效并降低功耗。適用于電池保護(hù)、電源開關(guān)控制及中等電流負(fù)載驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域，是電路設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)高效可靠控制的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

FDN360P_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢