NTR4171P_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/45.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTR4171P MOS管是一款高效P溝道半導(dǎo)體器件，采用小型SOT-23封裝形式，節(jié)省電路板空間。其工作電壓高達(dá)30V，并能在系統(tǒng)中穩(wěn)定提供4.2A的電流ID。值得一提的是，該器件導(dǎo)通電阻為45mR，確保在傳輸過(guò)程中損耗較低，能效較高。廣泛應(yīng)用于電源管理、電池保護(hù)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等各種需要精確控制電流流向的應(yīng)用場(chǎng)景，是您設(shè)計(jì)項(xiàng)目中的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

NTR4171P_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/45.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/45.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢