DMN2056U_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN2056U 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，專為高功率密度電路設(shè)計(jì)。器件具備20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達(dá)6A的連續(xù)漏極電流(ID)，且具有出色的22mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了更低的功率損耗和更高的能源效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)小型化、節(jié)能電子解決方案的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

DMN2056U_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢