BSS159N_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

BSS159N 是一款N溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23-3L封裝，專為高密度電路設(shè)計(jì)。該器件具有60V的漏源電壓額定值(VDSS)，并能處理0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)。其導(dǎo)通電阻僅為1000mR，確保在導(dǎo)通狀態(tài)下降低功耗，提高能源利用效率。適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合，是實(shí)現(xiàn)高性能、低功耗半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國(guó)際大廈2013-2014

BSS159N_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢