DMN5L06K_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/50.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/1100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN5L06K N溝道MOSFET采用小型化SOT-23封裝，為您的電子設(shè)計(jì)提供靈活便捷的選擇。這款器件具備50V的額定電壓（VDSS），并且能夠在低功耗狀態(tài)下穩(wěn)定流通0.2A的漏極電流（ID）。其導(dǎo)通電阻為1100mR（RD(on)），特別適合應(yīng)用于低電流控制和功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。無論是電源管理、邏輯門電路還是小型消費(fèi)電子產(chǎn)品，DMN5L06K MOS管都能以其可靠的性能和高效的能效為您提供優(yōu)質(zhì)解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

DMN5L06K_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/50.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/1100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/50.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/1100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢