DMN53D0LQ_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/50.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/1100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

DMN53D0LQ N溝道MOSFET采用經(jīng)典SOT-23封裝，適合各類常規(guī)電子電路設(shè)計(jì)。器件擁有50V的最大工作電壓（VDSS），并可在低功耗模式下提供0.2A的連續(xù)漏極電流（ID）。其導(dǎo)通電阻為1100mR（RD(on)），適用于低至中等電流水平的應(yīng)用場(chǎng)景。這款MOS管是電源管理、邏輯電平轉(zhuǎn)換及小型電子設(shè)備的理想選擇，具備可靠性和能效兼顧的特點(diǎn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

DMN53D0LQ_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/50.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/1100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/50.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/1100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢