DMN63D8L_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/0.1A 參數(shù)4：RDON/1200.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

DMN63D8L 是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適合空間有限的電路板設(shè)計(jì)。該器件工作電壓高達(dá)30V，提供精確的0.1A電流控制，具有1200mR導(dǎo)通電阻，適用于低功率應(yīng)用場(chǎng)合。廣泛應(yīng)用于電子開(kāi)關(guān)、過(guò)流保護(hù)、邏輯電平轉(zhuǎn)換等功能模塊，是實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)電流管理和節(jié)能設(shè)計(jì)的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

DMN63D8L_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/0.1A 參數(shù)4：RDON/1200.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/0.1A 參數(shù)4：RDON/1200.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢