BSH205G2R_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/120.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

BSH205G2R 是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高效、緊湊型電路設(shè)計(jì)。該器件具有20V的漏源電壓額定值(VDSS)，可承載高達(dá)2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，且具有出色的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻低至120mR，有利于降低功耗并提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)控制、低電壓大電流邏輯轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，是您優(yōu)化電路設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BSH205G2R_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/120.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/120.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢