DMP6350S_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/160.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

DMP6350S P溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專(zhuān)為高效能、低功耗電子設(shè)計(jì)。器件支持高達(dá)60V的漏源電壓(VDSS)，并能在160mR(RD(on))的導(dǎo)通電阻下，承載穩(wěn)定的2A漏極電流(ID)。此款MOS管廣泛應(yīng)用于電源開(kāi)關(guān)、電池管理系統(tǒng)、反向電流保護(hù)等功能模塊，其出色的電壓承受能力和精準(zhǔn)的電流控制性能，為您的電路設(shè)計(jì)提供更優(yōu)質(zhì)的解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

DMP6350S_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/160.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/160.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)