MVGSF1N02L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
MVGSF1N02L N溝道MOSFET采用節(jié)省空間的SOT-23-3L封裝，特別適用于緊湊型電路設(shè)計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，并且在導(dǎo)通狀態(tài)下呈現(xiàn)出僅為48mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，從而保證了高效的電能轉(zhuǎn)化和較低的功率損耗。這款MOS管廣泛運用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、智能設(shè)備等多種領(lǐng)域，是優(yōu)化系統(tǒng)性能和節(jié)能減排的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
