Si2323CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/5.0A 參數4：RDON/30.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
Si2323CDS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，特別適合現代微小電子設備設計。該器件規格出色最大工作電壓VDSS為20V，能夠承載5A的連續漏極電流，確保穩定運行；其導通電阻RD(on)低至30mΩ，旨在最大程度減少能耗，提升系統效率。廣泛應用在電源轉換、負載開關控制、電池保護等方面，是您實現高集成度與節能目標的理想MOS管解決方案。
