MMBF2201NT1_SOT-323_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-323 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/49.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

MMBF2201NT1 N溝道MOSFET采用小巧精密的SOT-323封裝，實(shí)現(xiàn)空間利用率最大化。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，在導(dǎo)通狀態(tài)下可承載2A的漏極電流(ID)，同時(shí)保持優(yōu)秀的低導(dǎo)通電阻49mR(RD(on))，從而有效提高系統(tǒng)效能，減少能量損失。這款MOS管廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)電子產(chǎn)品等場(chǎng)景中，是工程師打造高性能、低能耗電路的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

MMBF2201NT1_SOT-323_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-323 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/49.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-323 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/49.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢