DMN2065UW_SOT-323_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-323 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/49.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN2065UW 是一款精巧的N溝道MOSFET，采用微型SOT-323封裝，專為緊湊型電子設(shè)備設(shè)計(jì)。器件具備20V的最大漏源電壓(VDSS)，能穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)2A的連續(xù)漏極電流(ID)，且其出眾的導(dǎo)通電阻僅為49mΩ(RD(on))，確保了較低的功耗和較高的系統(tǒng)效率。這款MOS管廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、電源管理和邏輯門控電路中，是實(shí)現(xiàn)小型化、高效能電路的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

DMN2065UW_SOT-323_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-323 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/49.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-323 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/49.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢