CSD17577Q3A_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

CSD17577Q3A 是一款N溝道MOSFET，采用先進(jìn)的DFN3X3-8L封裝技術(shù)，專為高功率密度和低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件在30V電壓VDSS下穩(wěn)定工作，能處理高達(dá)100A的連續(xù)電流，彰顯強(qiáng)大電力傳輸性能。其亮點(diǎn)在于業(yè)界領(lǐng)先的4mR超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效減少功率損耗，提升整體系統(tǒng)效率。CSD17577Q3A 廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、以及其他需要高性能MOSFET的場合，是您構(gòu)建高效節(jié)能電路的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

CSD17577Q3A_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢