NTTFS4C25N_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTTFS4C25N N溝道MOSFET采用了緊湊型DFN3X3-8L封裝設(shè)計(jì)，為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化提供了理想的解決方案。該器件具備30V的額定電壓（VDSS），并能在高負(fù)載下穩(wěn)定輸出60A的漏極電流，充分展現(xiàn)其卓越的電能處理能力。更值得一提的是其導(dǎo)通電阻僅為6mΩ（RD(on)），有效減少能量損耗，提升整體能效。此款MOS管廣泛適用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、以及需要高電流處理能力和低阻抗性能的電子應(yīng)用領(lǐng)域。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTTFS4C25N_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢