AON7400A_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AON7400A N溝道MOSFET采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，結(jié)合了高效散熱與小巧體積設(shè)計(jì)。該器件性能強(qiáng)勁額定漏源電壓(VDSS)高達(dá)30V，可穩(wěn)定承載60A連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為6mΩ，確保了卓越的電力傳輸效率和低損耗運(yùn)行。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)等高電流處理場景，是提升系統(tǒng)性能與節(jié)能方案的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AON7400A_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢