FDMC7680_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

FDMC7680 是一款高性能N溝道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封裝，專(zhuān)為高密度電路板設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能在苛刻條件下提供驚人的60A連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)了強(qiáng)大的電力處理能力。更值得關(guān)注的是，其導(dǎo)通電阻僅為6mΩ(RD(on))，確保了在大電流傳輸時(shí)依然保持較低的功率損耗。此款MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、快速充電技術(shù)、大電流開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域，是工程師追求高效能設(shè)計(jì)的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話(huà)：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

FDMC7680_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)