DMP6180SK3Q_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數1:P溝道 參數2:VDSS/60.0V 參數3:ID/20.0A 參數4:RDON/55.0mR 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
DMP6180SK3Q 是一款高性能P溝道MOSFET,采用TO-252-2L封裝,適用于大電流應用場合。該器件具備60V的漏源耐壓(VDSS),并能支持高達20A的連續漏極電流(ID),其突出特點在于超低的導通電阻RD(on)僅為55mR,確保在大電流工況下依然維持高效能和低功耗表現。廣泛應用于電源轉換、電池管理系統、逆變器和電機驅動等眾多領域,是高功率應用的理想選擇。