RD3P050SNTL1_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

RD3P050SNTL1 N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，針對(duì)100V高電壓下的中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件提供高達(dá)100V的漏源電壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID)，在高壓環(huán)境中表現(xiàn)出色。盡管其導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR，但依舊能在適當(dāng)?shù)碾娏骷?jí)別上確保穩(wěn)定和有效的功率傳輸。廣泛適用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是兼具性能與經(jīng)濟(jì)效益的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

RD3P050SNTL1_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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