SQD50P03-07_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SQD50P03-07 P溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，專為高效能、低損耗的電路設(shè)計(jì)。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，并可承受高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流(ID)，彰顯其卓越的電流承載能力。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至5.5mΩ，大大降低了功率損耗，提高了整體系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域，是高質(zhì)量、高性價(jià)比的P溝道MOS管解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SQD50P03-07_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢