FDD6680AS_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/30.0V 參數3:ID/60.0A 參數4:RDON/7.0mR 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
FDD6680AS 是一款高性能N溝道MOSFET,采用緊湊型TO-252-2L封裝,專為高電流應用場合打造。器件關鍵特性包括工作電壓VDSS高達30V,可承載高達60A的強大連續電流,其超低導通電阻RD(on)僅為7mR,確保在大電流運行下仍能維持高效能和低熱量損耗。