PHD71NQ03LT_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/30.0V 參數3:ID/50.0A 參數4:RDON/7.5mR 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
PHD71NQ03LT 是一款高性能N溝道MOSFET,采用經濟高效的TO-252-2L封裝,專為高電流應用設計。其主要特性包括工作電壓VDSS高達30V,具備強勁的電流承載能力,最大連續電流ID高達50A;并且具備極低的導通電阻RD(on)僅為7.5mR,從而確保在大電流操作時保持高效能與低發熱。此款MOS管適用于電源轉換、電機驅動、儲能系統以及各類高功率開關應用,是提高系統性能與可靠性的理想半導體組件。