STD25NF10LT4_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

STD25NF10LT4 是一款N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為大電流、高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其擁有100V的工作電壓和30A的連續(xù)電流承載能力，特別適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。關(guān)鍵特點(diǎn)是導(dǎo)通電阻僅為35mΩ，有效提升系統(tǒng)能效，降低功耗。這款MOS管憑借卓越的性能和可靠性，成為眾多高功率電子設(shè)備的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

STD25NF10LT4_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢