MTD3055V_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/20.0A 參數(shù)4:RDON/27.0mR 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
MTD3055V 是一款N溝道MOSFET,采用TO-252-2L封裝,具有出色的散熱性能和空間利用率。在60V的最大漏源電壓(VDSS)下,可承載高達20A的連續(xù)漏極電流(ID),適用于高功率、大電流應用場景。其導通電阻僅為27mΩ,有助于提升系統(tǒng)整體能效并減少功耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動等領域,是實現(xiàn)高效、節(jié)能電子設備設計的理想半導體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:連先生
- 聯(lián)系電話:13823583904
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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