FQD20N06_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FQD20N06 N溝道MOS管采用緊湊型TO-252-2L封裝，具有優(yōu)良的散熱性能和安裝便利性。其主要參數(shù)包括60V的最大漏源電壓(VDSS)，可支持高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流(ID)，充分滿足高功率需求。值得一提的是，該器件導(dǎo)通電阻低至27mΩ，有助于提升系統(tǒng)效率，降低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域，是高效能、高穩(wěn)定性半導(dǎo)體解決方案的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

FQD20N06_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢