STN8882D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/3.8mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
STN8882D 是一款高性能N溝道MOSFET，采用標準TO-252-2L封裝，專為大電流、低阻抗應用研發。器件支持30V的漏源電壓(VDSS)，并能在極為優異的3.8mR導通電阻(RD(on))下，承載高達100A的漏極電流(ID)。廣泛應用于開關電源、電機驅動、電池管理系統等場景，憑借其卓越的電流承載能力和高效能表現，成為優化系統性能、降低能耗的理想半導體組件。
