NTD5C668NL_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTD5C668NL 是一款高性能N溝道MOSFET，采用經(jīng)典封裝TO-252-2L，專(zhuān)為高效率功率轉(zhuǎn)換和電流控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件具備卓越的電氣參數(shù)，包括60V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載80A的連續(xù)漏極電流(ID)，尤其亮點(diǎn)在于其低至6.5mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效降低功率損耗并提升整體系統(tǒng)效能。此MOS管廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是搭建節(jié)能高效電子系統(tǒng)的理想元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

NTD5C668NL_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢