IRLR3103PBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRLR3103PBF 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件提供30V的VDSS耐壓值，支持高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流ID，展現(xiàn)強(qiáng)大的電流處理能力。其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為15mΩ，保證了優(yōu)秀的能效表現(xiàn)，降低系統(tǒng)損耗。適用于電源轉(zhuǎn)換、大電流開關(guān)控制、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)高效率、大電流操作的理想半導(dǎo)體器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRLR3103PBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢