STN2610D_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

STN2610D 是一款高品質(zhì)N溝道MOSFET，封裝形式為TO-252-2L，適合于各種空間緊湊的設(shè)計(jì)需求。該器件具有出色的電氣性能，最大漏源電壓VDSS達(dá)60V，連續(xù)漏極電流ID高達(dá)50A，展現(xiàn)出強(qiáng)大的電力處理能力。尤其突出的是其低至11mR的導(dǎo)通電阻RD(on)，有助于減少功率損耗并優(yōu)化能源效率，廣泛適用于開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明等領(lǐng)域，是您高效能電子設(shè)計(jì)的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

STN2610D_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢