FDD5353_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/60.0V 參數3:ID/50.0A 參數4:RDON/11.0mR 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款MOS管型號為FDD5353 ,采用先進的TO-252-2L封裝技術,屬于高性能N溝道MOSFET器件。其擁有高達60V的漏源極電壓額定值和強大的50A連續漏極電流能力,確保了在大電流環境下的穩定工作。導通電阻僅為11mΩ,有效降低了功率損耗,提升系統能效,特別適用于各類開關電源、電機驅動及電池管理系統等高要求應用場景。