IRF740-HXY_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50管參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/400V 參數(shù)3：電流ID/11A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/500mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用經(jīng)典的TO-220封裝，專(zhuān)為處理高電壓大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。具備400V的擊穿電壓和11A連續(xù)電流能力，適用于各類(lèi)電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及開(kāi)關(guān)控制場(chǎng)合，提供卓越的能效表現(xiàn)，是您高效可靠功率管理的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRF740-HXY_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50管 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/400V 參數(shù)3：電流ID/11A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/500mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50管參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/400V 參數(shù)3：電流ID/11A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/500mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢