IRLR3103TRPBF-HXY_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/20A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/25mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 該N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-252-2L封裝，專為30V電壓下大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定連續(xù)電流高達(dá)20A，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電池管理系統(tǒng)，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良散熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效功率控制的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRLR3103TRPBF-HXY_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/20A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/25mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/20A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/25mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢