HXY30N06D_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/30A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/26mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 本款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-252-2L封裝工藝，是一款強(qiáng)大的N溝道半導(dǎo)體器件，額定電壓60V，峰值電流30A，專為優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率和開(kāi)關(guān)性能設(shè)計(jì)。其卓越的能效表現(xiàn)與穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于各類高要求電子設(shè)備中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HXY30N06D_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/30A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/26mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/30A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/26mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢