HXY2N65D_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/650V 參數(shù)3：電流ID/2A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/5000mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET封裝為TO-252-2L，擁有650V高耐壓值和2A電流承載力。適用于高壓環(huán)境下的消費(fèi)電子產(chǎn)品開關(guān)應(yīng)用，提供出色的能效表現(xiàn)及穩(wěn)定性，是優(yōu)化電源系統(tǒng)、提升設(shè)備性能的理想半導(dǎo)體器件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HXY2N65D_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/650V 參數(shù)3：電流ID/2A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/5000mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/650V 參數(shù)3：電流ID/2A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/5000mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢