BSS314PEH6327-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/4.1A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/56mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 該P(yáng)溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用SOT-23封裝，適用于30V電壓環(huán)境下的高效電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載控制。器件提供4.1A連續(xù)電流處理能力，具有低導(dǎo)通電阻特性，特別適應(yīng)于便攜式設(shè)備的電池管理系統(tǒng)，是實(shí)現(xiàn)節(jié)能與可靠功率管理的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

BSS314PEH6327-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/4.1A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/56mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/4.1A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/56mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢